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美国大D铝膜纸膜电容器

铝膜纸膜电容器

美国大D CORNELL DUBILIER铝膜纸膜电容器范围从标准交流电机运行类型到定制直流脉冲应用。仅使用业界最高等级的薄膜电介质以确保最佳性能。我们是为数不多的用于高性能电源转换和电源应用的纸和薄膜组合电介质的少数制造商之一。

产品详情


电源薄膜,交流应用

从标准电机运行值到大电流三相交流输出滤波器,CDE在交流电容器设计和制造方面拥有广泛的能力。我们的许多交流额定系列都通过了UL810认证,可用于电机、HVAC、HID照明和大型逆变器中的各种应用的故障打开操作。我们使用最优质的薄膜、浸渍剂和封装系统,以实现长寿命和无电晕操作。包括功率因数校正和谐波滤波电容器,高压电容器,微波炉电容器,电机运行和交流电源电容器,HID和镇流器照明电容器,谐振电容器。


电源薄膜,直流应用
我们为用作滤波器、直流链路、缓冲器、除颤器和脉冲电源应用的标准和定制薄膜电容器提供广泛的功能。最高等级的金属化薄膜用于确保最佳性能。如果标准不适用,您可以指望我们的工程专家为任何定制薄膜电容器设计提供帮助。包括直流链路电容器,除颤器电容器,缓冲电容器,可控硅整流电容器,直流滤波电容器。

轴向薄膜纸膜电容器

类型 描述 构成因素 温度 (°C) 电压 (Vdc) 电压 (Vac) 电容 (F)
150

一般用途

-55°C - 125°C 63V - 630V - 1 nF - 3.3 µF
460M

一般用途

-55°C - 125°C 63V - 1000V 40V - 250V 4.7 nF - 100 µF
461M

一般用途

-55°C - 85°C 63V - 400V 40V - 200V 27 nF - 100 µF
704M

一般用途

-55°C - 105°C 200V - 200V 140V - 140V 1 µF - 20 µF
730P

一般用途

-55°C - 85°C 100V - 630V - 0.02 pF - 10 pF
760M

一般用途

-55°C - 105°C 160V - 630V 100V - 250V 10 nF - 60 µF
761M

一般用途

-55°C - 85°C 160V - 630V 100V - 250V 12 nF - 65 µF
930

低损耗

-55°C - 105°C 100V - 630V 70V - 250V 22 nF - 10 µF
932

低损耗

-55°C - 105°C 250V - 700V 160V - 400V 680 nF - 30 µF
935

高纹波电流

-55°C - 105°C 100V - 400V 70V - 250V 1 µF - 30 µF


径向薄膜纸膜电容器

类型 描述 构成要素 电容 (F) 温度 (°C)
160

通用/小盒子

2.2 nF - 10 µF -55°C - 125°C
168

通用/小盒子

1 nF - 1 µF -55°C - 125°C
171

通用/小盒子

2.2 nF - 3.3 µF -55°C - 105°C
185

通用/小盒子

1 nF - 1 µF -55°C - 125°C
225P

高 dV/dt/浸渍/橙色压降

1 nF - 1 µF 55°C - 125°C
418P

高 dV/dt/浸渍/橙色压降

1 nF - 1 µF 55°C - 125°C
425M

通用/浸渍/橙滴

30 nF - 12 µF -55°C - 85°C
715P

高 dV/dt/浸渍/橙色压降

1 nF - 470 nF -55°C - 105°C
715P/717P

高 dV/dt/浸渍/橙色压降

470 pF - 15 nF -55°C - 85°C
716P

高 dV/dt/浸渍/橙色压降

1 nF - 1 µF -55°C - 105°C


贴片机薄膜纸膜电容器

类型 描述 构成因素 温度 (°C) 电压 (Vdc) 电容 (F)
CB -55°C - 125°C 100V - 500V 470 nF - 10 µF
CS

叠片,多针

-55°C - 125°C 50V - 500V 330 nF - 20 µF
FCA

SMT 薄膜,亚克力

-40°C - 85°C 10V - 16V 100 nF - 1 µF
FCN

SMT薄膜,笔

-55°C - 105°C 100V - 400V 1 nF - 1 µF
FCP

SMT薄膜、PPS

-55°C - 125°C 16V - 50V 100 pF - 220 nF


贴片机薄膜纸膜电容器

类型 描述 构成因素 电容 (F) 温度 (°C)
158X

X2 EMI抑制/小盒子

10 nF - 2.2 µF -40°C - 100°C
MKP

EMI/RFI 抑制

4.7 nF - 10 µF -40°C - 110°C
MPX

X2 级 85/85

10 nF - 45 µF -40°C - 110°C
Q/QRL

电弧抑制/RC/浸渍

100 nF - 1 µF -55°C - 85°C


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