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万代wide-bandgap(SiC/GaN)

wide-bandgap(SiC/GaN)

美国AOS万代wide-bandgap(SiC/GaN)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的重要元件在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通等产业发展的重点新材料，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

产品详情


万代Silicon Carbide (SiC) MOSFETs产品型号及应用参数

Part Number Status Package Qualification 描述 VDSmax RDS(on)typ. VGS,OP ID Qrr
V mΩ V A nC
AOK033V120X2 New TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 33 15 68 226
AOK150V120X2 New TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 150 15 20 87.5
AOK500V120X2 New TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 500 15 6.3 50
AOM033V120X2 New TO247-4L Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 33 15 68 226
AOK033V120X2Q Full Production TO247 Automotive 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 33 15 68 226
AOK065V120X2 Full Production TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 65 15 40 155
AOK065V65X2 Full Production TO247 Industrial 650V Silicon Carbide MOSFET 650 65 15 33 104
AOK150V120X2Q Full Production TO247 Automotive 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 150 15 20 87.5
AOM033V120X2Q Full Production TO247-4L Automotive 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 33 15 68 226
AOM065V120X2 Full Production TO247-4L Industrial 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 65 15 40 142
AOM065V120X2Q Full Production TO247-4L Automotive 1200V Silicon Carbide MOSFET 1,200 65 15 40 142
万代 Silicon Carbide (SiC) Diodes产品型号及应用参数

Part Number Status Package Qualification 描述 Configuration VDC IF VF QC
V A V nC
AOK20120XSD New TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide Schottky Diode Dual 1,200 20 1.45 136
AOK40120XSD New TO247 Industrial 1200V Silicon Carbide Schottky Diode Dual 1,200 40 1.45 244
万代 Gallium Nitride (GaN) FETs产品型号及应用参数

Part Number Status Package 描述 VDSmax RDS(on)typ. VGSmax Qg Qrr
V mΩ V nC nC
AONV070V65G1 Not For New Designs DFN8x8-8L Enhancement Mode FET 650 70 6 6.9 0

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