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东芝MOSFET

MOSFET

日本Toshiba东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET丰富组合,其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。东芝在MOSFET的开发和制造方面拥有数十年的经验。其主要产品包括中高压DTMOS系列(VDSS为500V~800V)和低电压U-MOS系列(VDSS为12V~250V)。

产品详情


东芝12V-300V MOSFET

东芝延续每一代的沟道结构和制造工艺,稳定地降低其低压功率MOSFET的漏极-源极导通电阻RDS(ON)。


东芝400V-900V MOSFET

东芝提供超结MOSFET系列用于高输出电源应用,并提供D-MOS(双扩散)MOSFET系列用于低输出电源应用。


东芝车载MOSFET

东芝提供一系列功率器件,比如使用于各种车载应用的功率MOSFET,包括12V电池和电机控制系统。 参数搜索 详细信息 射频MOSFET 射频MOSFET产品系列输出功率为0.1~12W,电源电压为3.6~12.5V,适用于射频功率放大器。


东芝MOSFET栅极驱动IC

东芝MOSFET栅极驱动IC是一种非常小的N沟道MOSFET驱动IC,内置保护电路。利用外部N沟道MOSFET,可以设计出小型、低损耗的理想电源电路。


东芝SiC MOSFET

东芝的1200V SiC MOSFET具有高速开关和低导通电阻的特性,非常适合大功率,高效率的工业电源,低损耗的太阳能逆变器和UPS。


东芝SiC MOSFET模块

我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能,并使用SiC(碳化硅),这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料,适用于工业电源转换器,例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。


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