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意法功率晶体管

功率晶体管

ST意法功率晶体管产品组合包括-100~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700V的IGBT,以及15~1700V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计,意法半导体的碳化硅(SiC)MOSFET具有业界最高的200°C额定结温,电压范围从650至2200V,确保良好的稳定性。此外,我们的硅基氮化镓(GaN/Si)晶体管可实现最高效率和最大功率密度,因为其具有特殊的动态导通状态电阻和微小电容(100、650和900V)。

产品详情


意法IGBT

意法半导体提供齐全的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品组合,电压范围300 V至1700 V,采用平面穿通(PT)和沟槽式场截止(TFS)技术。IGBT属于STPOWER系列。意法半导体的IGBT在开关性能和通路状态行为(变体)之间实现了最佳均衡,适用于工业和汽车领域的应用,如通用逆变器、电机控制、家用电器、HVAC、UPS/SMPS、焊接设备、感应加热、太阳能逆变器、牵引逆变器、车载充电器 & 快速充电器。 我们的IGBT可以裸露晶片和封装为分立元件等形式提供。


意法功率MOSFET

意法半导体的功率MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-100到1700 V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高压功率MOSFET(MDmesh™)和低压功率MOSFET(STripFET)的制程确保增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。功率MOSFET属于STPOWER系列。

12V-30V低压MOSFET:了解我们的STripFET低压功率MOSFET—采用先进的封装,具有低栅极电荷和低导通电阻。30V-350V N-通道MOSFET:了解我们的中等电压STripFET N-沟道功率MOSFET 产品组,提供多种小型和大功率封装选项。350V-700V超结MOSFET:了解我们的MDmesh™ N-沟道超结MOSFET,采用标准和快速恢复二极管。700V-1700V高压和超高压MOSFET:了解我们的MDmesh™高压和超高压功率MOSFET,提高了功率处理能力,支持高效率解决方案。P沟道MOSFET:了解我们的STripFET P-沟道MOSFET,采用超小型封装,最近又添加了新型沟槽栅器件。


意法功率双极器件

意法半导体广泛的功率双极结型晶体管(BJT)是您节能型设计的完美选择。该系列产品包含达灵顿晶体管和VCES为15V~1700V的BJT。功率双极属于STPOWER系列。

意法半导体双极NPN / PNP晶体管的关键特性:快速开关时间和极低的饱和电压,降低了开关和导通损耗;集成式二极管,减少了元件数量;hFE参数控制完美,从而提高了可靠性;最佳性价比。


意法宽带隙晶体管

迈向更节能世界的下一个关键步骤是使用新材料,如宽带隙半导体(WBG),新材料可以提高电源效率、减小产品尺寸和重量、降低系统成本,或同时实现所有这些优点。意法半导体提供最广泛的碳化硅(MOSFET)产品和技术组合,以及氮化镓基(增强型HEMT)器件,涵盖裸片、分立器件,以及属于STPOWER系列的模块。

GaN广泛应用于各种各样的现代谐振拓扑中,帮助设计人员获得比现有技术高很多的效率。凭借其优异的性能,GaN HeMT(高电子迁移率晶体管)将广泛应用于电动汽车,以及电压范围在100 V、650 V和 900 V 之间的工业、电信和特定消费应用。


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