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罗姆功率晶体管
罗姆的功率MOSFET和双极晶体管。额定电压为600～800V的功率MOSFET通过采用超级结技术，实现了高速开关和低导通电阻的性能，可以降低应用的损失。PC、服务器、充电器、照明等电源应用的PFC电路适合使用低噪声规格或高速开关规格的产品。罗姆的双极晶体管推出了小信号、薄型、功率封装等丰富多彩的封装。能通过低VCE(sat)实现低损耗，推出了适合SiC、IGBT、MOSFET的栅极驱动电路使用的集电极电流较大的功率双极。
车载MOSFET：罗姆的车载MOSFET提供可用于各种应用的可高速开关的低导通电阻产品。而且封装产品阵容丰富，可以适应小型化、大电流化的趋势，灵活满足客户的要求。还将通过开发新工艺结构，进一步降低导通电阻、提高开关速度。双极晶体管：ROHM的晶体管有小信号、薄型、大功率等类型、采用多种封装形式、可以满足时代的需要。数字晶体管：罗姆开发的数字晶体管是在数字电路设计领域中经常使用的内置电阻型晶体管.罗姆拥有对应市场要求的超小型表面安装封装以及省空间。丰富电阻值的多种多样的产品线。
罗姆功率二极管
从超低IR到超低VF，产品阵容丰富的肖特基势垒二极管、提供适用于各种应用的VF-trr折中的快速恢复二极管在内，罗姆的功率二极管要凭借无与伦比的生产能力，满足市场的要求。包括肖特基二极管；快速恢复二极管；整流二极管；TVS二极管；齐钠二极管。
罗姆SiC碳化硅功率器件
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。 SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。包括SiC (碳化硅) 肖特基二极管；SiC (碳化硅) MOSFET；SiC (碳化硅) 功率模块；SiC (碳化硅) 肖特基势垒二极管Bare Die；SiC (碳化硅) MOSFET Bare Die。
罗姆GaN功率器件
氮化镓GaN是一种用于下一代功率器件的化合物半导体材料。由于其优于硅器件的性能，如卓越的高频特性，它开始被采用。由于其比硅器件具有更高的开关特性和更低的导通电阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各种电源的小型化以及外围组件的小型化。Rohm成功地将栅极耐受电压（额定栅极源电压）提高到业界领先的8V，使其非常适合用于基站和数据中心等工业设备的电源电路以及物联网通信设备。
罗姆IGBT
ROHM的IGBT绝缘栅双极晶体管产品为高电压、大电流广泛应用的高效化和节能化做出了贡献。场截止沟槽型IGBT：利用ROHM的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat）、低开关损耗的IGBT产品。Ignition IGBT：是兼具低Vce(sat)、高雪崩耐性，适用于车载点火用途的高可靠性IGBT产品。IGBT Bare Die：GBT/FRD产品有助于众多高电压、大电流应用实现高效率化和节能化。
罗姆智能功率模块
ROHM的IPM（Intelligent Power Module）是将适合IGBT器件的驱动电路、保护功能一体化封装的产品。为设备的高效化、设计简略化做出了贡献。MOS-IPM：ROHM的MOS-IPM是使用自产的PrestoMOS的高效率IPM产品。与IGBT产品相比，可大幅度降低空调稳定运转时的损耗。
IPM损耗模拟器：损耗模拟器是专门用于ROHM IGBT IPM的功率损耗估计软件。损耗模拟器可根据客户应用程序任务概要准确估计功率损耗、结温和外壳温度，从而缩短解决方案设计，节省时间和资源。IGBT-IPM：ROHM的IGBT-IPM可根据应用的开关频率提供优良的产品。
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