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碳化硅二极管

碳化硅二极管

碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。

产品详情


碳化硅二极管主要用途有哪些

SiC二极管主要用在两个方面。第一,输入端PFC电路中,SiC二极管作为升压和整流二极管应用。第二,输出端AC-DC电路中,SiC二极管作为高频整流应用。由于车载OBC和充电桩输入电压不同,OBC是220V,充电桩是380V,OBC要求SiC二极管的电压等级是650V,充电桩要求SiC二极管的电压等级是1200V。电流从10A到几十安都有。


碳化硅二极管的优势是什么


1.宽禁带提高了工作温度和可靠性。宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV,相应本征温度高达800℃以上;即便就是禁带最窄的3C-SiC,其禁带宽度也达到2.3eV左右。

2.高击穿场强提高了耐压,减小了尺寸。高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高。同时,由于电子击穿场强提高,在增加渗杂密度条件下,碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低,因此可减小功率器件的尺寸。

3.高热导率提高了功率密度。热导率指标越高,材料向环境中传导热的能力越强,器件的温升越小,越有利于提高功率器件的功率密度,同时更适合在高温环境下工作。

4.强的抗辐射能力,更适合在外太空环境中使用。在辐射环境下,碳化硅器件的抗中子辐射能力至少是硅的4倍,因此是制作耐高温、抗辐射的电力电子功率器件和大功率微波器件的优良材料。


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