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SOI 绝缘体上硅

SOI 绝缘体上硅


建盟化学致力于满足每个客户的独特需求,为具有高难度或特定项目要求的晶圆生产商、技术开发商定制提供硅锭解决方案。

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产品详情

  绝缘硅片SOI应用介绍

  SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为'SOI'的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术,SOI广泛应用于微电子的大多数领域,同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。为满足更多客户要求,苏州建道电子有限公司也提供超薄顶层和超薄绝缘层;

  绝缘硅片SOIwafer尺寸

  4”,5”,6”,8"。

  绝缘硅片底层厚度

  >200um;顶层厚度:>2um。

  绝缘硅片导电类型

  N-Type、P-Type、非掺高阻。

  绝缘硅片顶层厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等。

  绝缘硅片绝缘层厚度:145nm、500nm等。

  绝缘硅片SOI工业性能特点

  顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器,键合技术以及外延设备,顶层硅最薄可达20纳米,最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。

  1.提高运行速度

  在特定的电压下,建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%,这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

  2.降低能量损耗

  SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗,特别适用于对能量消耗比较高的领域。

  3.改进运行性能

  SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温,对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

  4.减小封装尺寸

  SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。


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