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蓝宝石单晶片工业应用
蓝宝石单晶是一种优良的多功能材料。可以广泛应用于工业，国防和科研等多个领域(如耐高温红外窗口)。同时它也是一种用途广泛的单晶基片材料。是当前蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)工业的先选基片(需要在蓝宝石基片上外延氮化镓膜层)，也是重要的超导薄膜基片。除了可以制作Y-系，La-系等高温超导薄膜外，还可以用于生长新型实用MgB2(二硼化镁)超导薄膜。
蓝宝石单晶片厚度
100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm。
蓝宝石单晶片尺寸
2英寸、4英寸、6英寸和切割小块。
蓝宝石单晶片晶向
C向、M向、R向;单抛、双抛。
R向蓝宝石晶片
R向基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用R型基底生长。比A稍难切。
C向蓝宝石晶片
C向的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI族沉积薄膜，比如氮化镓，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。这主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定，在C面进行磊晶的技术成熟稳定。C轴均有晶光性，其他轴具有负光性;C面为平面，最好切。
M向蓝宝石晶片
M面为阶梯锯齿状，不好切，容易切裂。主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜，以提高发光效率。
A向蓝宝石晶片
A向硬度明显高于C向，具体表现在耐磨，耐刮，硬度高;A面为Z型锯齿状面，比较好切;A向基底产生统一的电容率/介质，并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。
蓝宝石单晶片加工
图案化蓝宝石基板(PatternSapphireSubstrate简称PSS)：以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式，在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。此外，可按客户要求加工定制蓝宝石棱镜、表镜、透镜、孔件、锥台等各种结构件。
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