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提供世界知名品牌刻蚀气体应用技术工艺。刻蚀气体应用包括蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜，金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差小，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强，工艺控制精确，方便，无脱胶现象，无基片损伤和沾污，所以其应用范围日益广泛。
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